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富士通与Nantero达成协议2018年推出快1000倍的NRAM内存
发布时间:2022-11-19 00:55
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本文摘要:富士通半导体和三重富士通半导体上周联合宣告宣告,他们已与总部坐落于美国的Nantero公司达成协议,许可该公司的碳纳米管内存(NRAM)技术,三方公司未来将致力于NRAM内存的研发与生产。据理解,借由NRAM技术所生产的内存速度将是当前普通内存的1,000倍。预计,借由三方面的合作,将在2018年发售借由55纳米制程所生产的NRAM内存。 在纳米技术研究领域,碳纳米管(CNT)是一种很独有的材料,直径只有人类头发的五万分之一,能导电导电,硬度是钢铁的50倍。

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富士通半导体和三重富士通半导体上周联合宣告宣告,他们已与总部坐落于美国的Nantero公司达成协议,许可该公司的碳纳米管内存(NRAM)技术,三方公司未来将致力于NRAM内存的研发与生产。据理解,借由NRAM技术所生产的内存速度将是当前普通内存的1,000倍。预计,借由三方面的合作,将在2018年发售借由55纳米制程所生产的NRAM内存。

  在纳米技术研究领域,碳纳米管(CNT)是一种很独有的材料,直径只有人类头发的五万分之一,能导电导电,硬度是钢铁的50倍。在储存领域,碳纳米管通过矽基沉底也能超过0与1变化。因此,也可以用来当作储存芯片用于,而且因为其特性为非挥发性,所以就算断电也会清理储存在上面的资讯。  而由于碳纳米管具有尤其的特性,因此相比于当前的普通内存,NRAM芯片的具备十分强劲的优势。

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除了读取速度是普通存储器的1,000倍(Nanteo官网上回应是1,000倍)之外,同时可获取功耗更加较低,极具可靠性与耐用性的内存,而且生产成本更加较低。  富士通半导体系统内存副总裁松宫正人回应,借由Nantero公司的碳纳米管技术而生产的非挥发性储存内存是业界的一个打破了传统技术的明显变革。而富士通半导体自90年代以来,仍然是在设计和生产非挥发性内存FRAM(铁电随机存取内存)的少数厂商之一。因此,富士通半导体具备统合FRAM设计和生产的能力。

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如今再行与Nantero公司达成协议之后,未来将就由过去设计与生产FRAM的能力,用作研发NRAM内存,以符合市场的市场需求。  Nantero董事长兼任CEOGregSchmergel认为,Nantero早已在碳纳米管的内存储存技术上研究了十多年,不具备生产NRAM内存的先进设备技术。

而本次与富士通半导体与三重富士通半导体两家公司的合作,由于两家公司都是全球生产储存设备中最顺利的企业之一。借由其在研发与生产FRAM的经验,未来可以在NRAM内存的合作上产生更大的效益,创建更加密切的关系。

  不过,对于此合作案,有业界人士认为,Nantero公司自从2006年就说道要开始生产碳纳米管内存了。但是,到现在仍然没什么尤其的进展。

未来,即便是跟富士通半导体达成协议了合做到协议,量产的NRAM芯片容量还是过于大,只合适一些嵌入式设备用于。所以,未来是不是需要转变整个内存的生态,还有待更进一步的仔细观察。


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